"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в 6H-SiC
Петренко Т.Л.1, Тесленко В.В.1, Мохов Е.Н.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

Впервые зарегистрирован спектр двойного электронно-ядерного резонанса (ДЭЯР) в карбиде кремния, легированном бором. Определены константы сверхтонкого и квадрупольного взаимодействия для примесного центра бора с аксиальной симметрией g-тензора. В предположении, что основным является невырожденное A-состояние, в рамках метода МО ЛКАО проанализировано квадрупольное взаимодействие с ядром 11B. Предложена модель примесного центра бора в виде pi-электронного радикала BC3 пленарной конфигурации. Показано, что такая модель позволяет качественно объяснить особенности сверхтонкого взаимодействия с ядром 11B.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.