"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Отрицательное продольное магнитосопротивление delta-легированных слоев GaAs
Буданцев М.В.1, Квон 3.Д.1, Погосов А.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

Экспериментально исследовано продольное отрицательное магнитосопротивление (ПОМС) в delta-легированных GaAs. Сравнение экспериментальных результатов с имеющимися теориями показало, что ПОМС в этих структурах объясняется теорией слабой локализации, учитывающей межподзонные переходы в продольном магнитном поле.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.