"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксация емкости в n-pi-p-переходе с произвольным уровнем легирования n- и p-областей
Урманов Н.А.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

Представлены наглядная модель и теория, объясняющие необычное поведение емкости при изотермической релаксации, обнаруженное в арсенид-галлиевых p-n-структурах. Эта аномальная релаксация является, как правило, немонотонной и не объясняется существующей теорией. Показано, что особенности релаксации обусловлены структурой перехода. Этот вывод следует из результатов теоретического рассмотрения поведения емкости в n-pi-p-переходе с одним глубоким уровнем без каких-либо ограничений на степень легирования n- и p-областей. Путем модельных расчетов для такого перехода с концентрационным профилем ступенчатого и произвольного вида получены основные характерные типы кривых аномальной релаксации. Практически все они обнаружены экспериментально в двух температурных интервалах, в одном из которых имеет место перезарядка A-центров, в другом --- B-центров. Эти центры хорошо известны в арсениде галлия, выращенном методом жидкофазной эпитаксии. Отмечаются литературные данные, в том числе для кремния, которые находят объяснение на основе предлагаемой модели.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.