"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в a-Si :H и a-Si1-xNx : H
Айвазов А.А.1, Будагян Б.Г.1, Мейтин М.Н.1, Становов О.Н.1
1Московский институт электронной техники,, Москва, Россия
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

Проведены исследования влияния структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в пленках a-Si :H и a-Si1-xNx : H. Измерены температурные зависимости темновой проводимости образцов, полученных с различными скоростями охлаждения, и построены кривые релаксации. Определены параметры релаксационной кинетики (tau, tau0, Etau) для пленок a-Si :H и a-Si1-xNx : H. Показано, что микроструктурная неоднородность пленок оказывает существенное влияние на проводимость и релаксационные процессы. Увеличение содержания азота оказывает стабилизирующее воздействие на структуру материала и замедляет процессы релаксации в нем.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.