Изучен энергетический спектр приграничных электронных состояний в сверхрешетках, состоящих из полупроводниковых слоев материалов группы A^IVB^VI с взаимноинвертированными зонами. Показано, что при выполнении условия |E_ga|a=|E_gb|b (E_{ga, b} - щели в спектре исходных полупроводников, a и b - толщины слоев) энергетический спектр приграничных состояний является бесщелевым и совпадает со спектром отдельного гетероконтакта с инверсией зон, но в отличие от последнего является вырожденным по спину. Проведен расчет зависимостей ширины запрещенной зоны сверхрешеток от разности толщин слоев Delta d=b-a и разности абсолютных значений щелей спектра исходных полупроводников delta E_g=|E_gb|-|E_ga|. Установлено, что изменение спектра в зависимости от этих параметров сопровождается эффектом инверсии зон приграничных состояний. На фазовой диаграмме с координатами delta E_g и Delta d построена линия, отделяющая область сверхрешеток с нормальным спектром от области сверхрешеток с инверсным спектром.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.