"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект инверсии зон приграничных электронных состояний в сверхрешетках на базе полупроводников AIVBVI
Канцер В.Г.1, Леляков И.А.1, Малкова Н.М.1
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

Изучен энергетический спектр приграничных электронных состояний в сверхрешетках, состоящих из полупроводниковых слоев материалов группы AIVBVI с взаимноинвертированными зонами. Показано, что при выполнении условия |Ega|a=|Egb|b (Ega, b --- щели в спектре исходных полупроводников, a и b --- толщины слоев) энергетический спектр приграничных состояний является бесщелевым и совпадает со спектром отдельного гетероконтакта с инверсией зон, но в отличие от последнего является вырожденным по спину. Проведен расчет зависимостей ширины запрещенной зоны сверхрешеток от разности толщин слоев Delta d=b-a и разности абсолютных значений щелей спектра исходных полупроводников delta Eg=|Egb|-|Ega|. Установлено, что изменение спектра в зависимости от этих параметров сопровождается эффектом инверсии зон приграничных состояний. На фазовой диаграмме с координатами delta Eg и Delta d построена линия, отделяющая область сверхрешеток с нормальным спектром от области сверхрешеток с инверсным спектром.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.