"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия
Баранов А.Н.1, Воронина Т.И.1, Гореленок А.А.1, Лагунова Т.С.1, Литвак А.М.1, Сиповская М.А.1, Старосельцева С.П.1, Тихомирова В.А.1, Шерстнев В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев арсенида индия. Показано, что использование свинца в качестве нейтрального растворителя при выращивании эпитаксиальных слоев арсенида индия позволяет уменьшить концентрацию примесей и структурных дефектов и получить как более чистые слои (при 77 K концентрация электронов ~5·1016 см-3, подвижность ~3·104 см2/В·с), так и полуизолирующие слои (при 77 K концентрация ~1015 см-3, подвижность ~4·103 см2/В·с). Определен энергетический спектр примесей и дефектов (энергии ионизации донорных уровней --- ED=0.002, 0.01/0.02, 0.1/0.2 эВ, акцепторного --- EA=0.05 эВ). Изучены механизм рассеяния и характер распределения центров рассеяния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.