"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поглощение инфракрасного излучения дырками в структурах с квантовыми ямами
Алешкин В.Я.1, Романов Ю.А.1
1Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

В работе исследовано поглощение инфракрасного излучения в квантовых ямах, обусловленное межподзонными переходами дырок. Найдены правила отбора для переходов и определены формы линий поглощения. Показано, что эффект деполяризации существенно изменяет положение, форму и величину линии поглощения. Приведены оценки поглощения в квантовых ямах Si и GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.