Влияние лазерного облучения на физические свойства высокоомных кристаллов ZnSe
Артамонов В.В.1, Байдуллаева А.1, Беляев С.В.1, Власенко А.И.1, Гнатюк В.А.1, Мозоль П.Е.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.
Исследованы фотопроводимость, фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света высокоомных специально не легированных кристаллов ZnSe кубической структуры с различным содержанием неконтролируемых примесей, подвергнутых воздействию наносекундных импульсов излучения рубинового лазера допороговой интенсивности. Обнаружены увеличение стационарной фотопроводимости и изменение вида ее спектра для образцов с малым содержанием фоновой примеси. Установлено, что в результате облучения происходит изменение дефектной структуры приповерхностной области кристаллов.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.