Исследованы фотопроводимость, фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света высокоомных специально не легированных кристаллов ZnSe кубической структуры с различным содержанием неконтролируемых примесей, подвергнутых воздействию наносекундных импульсов излучения рубинового лазера допороговой интенсивности. Обнаружены увеличение стационарной фотопроводимости и изменение вида ее спектра для образцов с малым содержанием фоновой примеси. Установлено, что в результате облучения происходит изменение дефектной структуры приповерхностной области кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.