"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние лазерного облучения на физические свойства высокоомных кристаллов ZnSe
Артамонов В.В.1, Байдуллаева А.1, Беляев С.В.1, Власенко А.И.1, Гнатюк В.А.1, Мозоль П.Е.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

Исследованы фотопроводимость, фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света высокоомных специально не легированных кристаллов ZnSe кубической структуры с различным содержанием неконтролируемых примесей, подвергнутых воздействию наносекундных импульсов излучения рубинового лазера допороговой интенсивности. Обнаружены увеличение стационарной фотопроводимости и изменение вида ее спектра для образцов с малым содержанием фоновой примеси. Установлено, что в результате облучения происходит изменение дефектной структуры приповерхностной области кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.