"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронные свойства границ раздела полупроводник-диэлектрик в тонкопленочном транзисторе на основе структуры SiO2-alpha-Si<H>-пленка Ленгмюра-Блоджетт
Антоненко В.И.1, Знаменский Д.А.1, Калугин С.М.1, Леванович В.Н.1, Моисеев Ю.Н.1, Панов В.И.1, Тодуа П.А.1, Уласюк В.Н.1, Юсупов Р.Г.1
1Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума,, Москва, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

Создан двухсторонний тонкопленочный полевой транзистор (ТПТ) на основе структуры SiO2-alpha-Si<H>- пленка Ленгмюра-Блоджетт (ЛБ) холестериносодержащего гребнеобразного полимера. Установлено, что подвижность эффекта поля в проводящем канале ТПТ вдоль поверхности ЛБ пленки в 30 раз выше, нежели вдоль поверхности SiO2. Значения энергий активации проводимостей в каналах ТПТ составляют 0.44 и 0.65 эВ соответственно. Полученные результаты свидетельствуют о более высокой плотности состояний на границе раздела alpha-Si<H>-SiO2 по сравнению с интерфейсом alpha-Si<H>-ЛБ пленка, что связано с методами их формирования. На SiO2 аморфный гидрогенизированный кремний наносился плазмохимическим методом, тогда как ЛБ пленка на alpha-Si<H> осаждалась путем переноса высокоупорядоченного квазидвумерного жидкого кристалла с поверхности воды. Высокое совершенство ЛБ слоев подтверждается их изображением в сканирующем атомно-силовом микроскопе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.