"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизм оптической нелинейности в волноводных P-I-N-структурах при электропоглощении света
Бутусов Д.М.1, Кудряшов Н.А.1, Кучеренко С.С.1, РЫВКИН Б.С.1
1Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

Исследуется механизм оптической нелинейности в волноводной P-I-N-гетероструктуре на основе GaAs/GaAlAs, обусловленный перераспределением электрического поля в I-слое при электропоглощении. Характер нелинейности определяется типом моды вводимого излучения. Использование предложенного механизма в элементах типа SEED позволит существенно повысить их быстродействие.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.