Исследовано изменение обратного тока диодов из высокоомного n-Si после облучения alpha-частицами и последующего изохронного отжига. Параметры радиационных дефектов измерялись методом DLTS с привлечением для обработки спектров математического моделирования. Установлена важная роль в формировании генерационного тока глубоких центров, связанных с междоузельным углеродом. Показана эффективность низкотемпературного отжига (150^oC) для восстановления обратного тока диода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.