"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении ионами N+
Антонова И.В.1, Шаймеев С.С.1, Тысченко И.Е.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

Методом емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовался кремний, имплантированный ионами азота с энергией 135 кэВ, дозами 1014-1015 см-2 при температуре 500-900oC. Получено, что при T=500oC в верхней половине запрещенной зоны наблюдаются уровни Ec -0.31, -0.40 и -0.60 эВ, связанные, по-видимому, с оборванными связями (или комплексами оборванная связь-примесь) на протяженных дефектах (стержнеобразные дефекты и дислокационные петли). Повышение температуры облучения до 700oC приводит к резкому уменьшению концентрации электрически активных дефектов до ~1012 см-3, что коррелирует с количеством вводимых при таких режимах структурных нарушений. При T=900oC наблюдаемый спектр дефектов меняется. Вводятся уровни Ec -0.10, -0.13 эВ и пик, представляющий собой суммарный сигнал от спектра уровней в диапазоне от Ec -0.17 до -0.35 эВ. Все дефекты имеют сечение захвата электрона на уровень sigma<110-18 см2. Исследование дозовой зависимости накопления дефектов, пространственного распределения и сравнение с набором дефектов, вводимых при имплантации Ne+, позволило связать первые два уровня с включениями нитрида кремния, а третий пик с дефектами радиационной природы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.