"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS<In>-p-CuInSe2
Магомедов М.А.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

Получены гетеропереходы, представляющие собой контакт термически напыленного слоя n-CdS с поверхностью поликристаллических пластин p-CuInSe2, и изучены их фотоэлектрические свойства. Обсуждаются вольт-амперные и спектральные характеристики гетеропереходов с токовой фоточувствительностью ~=60 мА/Вт в диапазоне энергий фотонов между значениями ширин запрещенных зон контактирующих полупроводников. Показано, что максимум фоточувствительности в таких гетеропереходах достигается в диапазоне температур 150-180 K.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.