"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Образование периодических структур с модулированным составом при когерентном разделении фаз в четверных твердых растворах полупроводников AIIIBV
Ипатова И.П.1, Малышкин В.Г.1, Маслов А.Ю.1, Щукин В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

Построена теория неустойчивости четверных твердых растворов A1-xBxC1-yDy-типа полупроводников AIIIBV по отношению к когерентному разделению фаз. Показано, что четверные твердые растворы полупроводников AIIIBV становятся неустойчивыми относительно когерентного разделения фаз при T=400-1200 K. Установлено, что в результате разделения фаз возникает система слоистых доменов с чередующимся составом твердого раствора (или, другими словами, естественная напряженная слоистая сверхрешетка с макроскопическим периодом). Вблизи критической температуры диаграмма когерентного разделения фаз четверных твердых растворов и периоды естественных сверхрешеток получены в аналитическом виде. При произвольных температурах и составах твердого раствора диаграммы когерентного разделения фаз и периоды сверхрешеток рассчитаны численно на основе приближения регулярных растворов для четверных твердых растворов CaInAsP и CaAlAsSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.