Методом нестационарной емкости спектроскопии глубоких уровней в эпитаксиальном n=GaAs [n=(2-3)· 10¹⁵ см^-3], облученном быстрыми нейтронами (дозы D=< 10¹⁴ см^-2), найдены ловушки N1 (с энергией E_a~= 0.18 эВ), N2 (E_a~= 0.36 эВ) и N4, аналогичные дефектам E2, E3 и E5 в GaAs, облученном электронами, и широкая U-полоса (со средней энергией E_a~= 0.66 эВ), связанная с дефектами в разупорядоченной области. Исследована перестройка U-полосы при отжиге до 510^oC. Высказано предположение о том, что "заглубление" U-полосы с ростом температуры отжига обусловлено формированием дефектных кластеров за счет перестройки и отжига разупорядоченной области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.