"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Глубокие ловушки в n-GaAs, облученном быстрыми нейтронами
Брудный В.Н.1, Колин Н.Г.1, Потапов А.И.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

Методом нестационарной емкости спектроскопии глубоких уровней в эпитаксиальном n=GaAs [n=(2-3)· 1015 см-3], облученном быстрыми нейтронами (дозы D=< 1014 см-2), найдены ловушки N1 (с энергией Ea~= 0.18 эВ), N2 (Ea~= 0.36 эВ) и N4, аналогичные дефектам E2, E3 и E5 в GaAs, облученном электронами, и широкая U-полоса (со средней энергией Ea~= 0.66 эВ), связанная с дефектами в разупорядоченной области. Исследована перестройка U-полосы при отжиге до 510oC. Высказано предположение о том, что "заглубление" U-полосы с ростом температуры отжига обусловлено формированием дефектных кластеров за счет перестройки и отжига разупорядоченной области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.