Предложена новая модель генерации неосновных носителей заряда, основанная на межзонной термоавтоэмиссии в электрических полях пятен высокой концентрации зарядов, встроенных на границе раздела полупроводник-диэлектрик. Развита теория электронных переходов между отвечающей такому пятну потенциальной ямой и разрешенными зонами полупроводника. Построена температурная зависимость темпа рождения электронно-дырочных пар, график которой имеет необычный вид - кривой с двумя максимумами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.