Проведен сравнительный анализ структуры и оптических свойств протяженных дефектов, введенных имплантацией ионов Ge⁺ и последующим отжигом при T=500-800 ^oC в слои кремния в структурах кремний-на-изоляторе и пластины Si(100). В обоих случаях, вплоть до 600 ^oC, протяженные 113 дефекты являются доминирующими в структуре имплантированных слоев (при доле 001 дефектов ≤5 %). Однако при T=700 ^oC 001 дефекты становятся доминирующими в пластинах Si и анализ геометрической фазы их изображений, полученных методом высокоразрешающей электронной микроскопии, показывает значительные нанофлуктуации деформаций в плоскости 001 дефекта, указывающие на вариацию его атомной структуры и возможную сегрегацию Ge. В структуре кремний-на-изоляторе, отожженной при T=800 ^oC, оба типа дефектов, по данным фотолюминесценции, исчезают, но при T<800 ^oC спектры фотолюминесценции качественно воспроизводят особенности в интервале 1.2-1.6 мкм. Полученные энергии активации гашения фотолюминесценции свидетельствуют о ее меньшей термической стабильности в структуре кремний-на-изоляторе по сравнению с Si(100). Ключевые слова: ионная имплантация, германий, кремний-на-изоляторе, термический отжиг, просвечивающая высокоразрешающая электронная микроскопия, 113 и 001 дефекты, фотолюминесценция.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.