Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2026, выпуск 2 » Статья стр. 79
<<<>>>
Первопринципный расчет атомных конфигураций в β-Ga2O3 в окрестности атома бора при облучении ионами B+
Российский научный фонд, 23-79-00052
Окулич Е.В. 1, Окулич В.И.1, Тетельбаум Д.И.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: eokulich@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 3 февраля 2026 г.
В окончательной редакции: 28 мая 2026 г.
Принята к печати: 28 мая 2026 г.
Выставление онлайн: 30 июня 2026 г.
PDF версия
Выполнено первопринципное компьютерное моделирование локальных атомных конфигураций, формирующихся в окрестности атомов бора, внедренных в β-Ga2O3 методом ионного облучения. Предполагалось, что после завершения динамической стадии атом бора попадает в одно из междоузлий либо замещает атом галлия (который при этом располагается в соседнем междоузлии), а затем происходит структурная релаксация. Показано, что изменения конфигураций при релаксации в основном можно объяснить химическим взаимодействием атомов бора с атомом кислорода, а также тенденцией к установлению длины связи B-O, близкой к сумме ионных (или атомных) радиусов этих элементов. Полученные результаты могут использоваться для дальнейших расчетов электронной структуры и других параметров β-Ga2O3, ионно-легированного бором, что важно для технологии полупроводниковых приборов нового поколения. Ключевые слова: оксид галлия, ионная имплантация, ионное легирование бором, атомная структура, компьютерное моделирование.
  1. Y. Feng, H. Zhou, S. Alghamdi, H. Fang, X. Zhang, Y. Chen, G. Tian, S. Wasly, Z. Zheng, M. Xiang, Y. Hao, J. Zhang. IEEE, 72, 1528 (2025). DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2025.3526118
  2. Y. Gao, A. Li, Q. Feng, Z. Hu, Z. Feng, K. Zhang, X. Lu, C. Zhang, H. Zhou, W. Mu, Z. Jia, J. Zhang, Y. Hao. NRL, 14, 8 (2019). DOI: https://doi.org/10.1186/s11671-018-2849-y
  3. M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M.H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi. APL, 103, 123511 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4821858
  4. R.H. Horng, A. Sood, S. Rana, N. Tumilty, F.G. Tarntair, C. Langpoklakpam, H.C. Kuo, J.P. Singh. MTA, 18, 100382 (2023). DOI: https://doi.org/10.1016/j.mtadv.2023.100382
  5. A.E. Islam, N.P. Sepelak, K.J. Liddy, R. Kahler, D.M. Dryden, J. Williams, H. Lee, K. Gann, A. Popp, K.D. Leedy, N.S. Hendricks, J.L. Brown, E.R. Heller, W. Wang, W. Zhu, M.O. Thompson, K.D. Chabak, A.J. Green. APL, 121, 243501 (2022). https://doi.org/10.1063/5.0113744
  6. A. Nikolskaya, E. Okulich, D. Korolev, A. Stepanov, D. Nikolichev, A. Mikhaylov, D. Tetelbaum, A. Almaev, C.A. Bolzan, A. Buaczik, Jr., R. Giulian, P.L. Grande, A. Kumar, M. Kumar, D. Gogova. JVST, 39 (3), 030802 (2021). https://doi.org/10.1116/6.0000928
  7. A.A. Nikolskaya, D.S. Korolev, A.A. Revin, A.I. Belov, A.V. Kudrin, V.N. Trushin, A.V. Zdoroveyshchev, D.A. Zdoroveyshchev, A.N. Mikhailov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, E.V. Okulich, D.I. Tetelbaum. Book of abstracts 21st Int. Conf. on Defects in Insulating Materials (Astana, ICDIM, 2024) р. 43
  8. H. Liu, Y. Wang, Y. Lv, S. Han, T. Han, S. Dun, H. Guo, A. Bu, Z. Feng. IEEEE, 44 (7), 1048 (2023). https://doi.org/10.1109/LED.2023.3279431
  9. P.G. Wenthold, J.B. Kim, K.L. Jonas, W.C. Lineberger. JPC, 101, 4472 (1997). https://doi.org/10.1021/jp970645u
  10. W. Xu, L. Chen, S. Han, P. Cao, M. Fang, W. Liu, D. Zhu, Y. Lu. JPC, 124, 8015 (2020). https://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.0c01281
  11. A.A. Nikolskaya, D.S. Korolev, V.N. Trushin, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, E.A. Pitirimova, A.V. Kudrin, E.V. Okulich, V.I. Okulich, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum. NIMB, 537, 65 (2023). https://doi.org/10.1016/j.nimb.2023.01.014
  12. E. Zykova, A. Tatarintsev, A. Ieshkin, N. Orlikovskaya, A. Nikolskaya, D. Korolev, A. Revin, A. Konakov, D. Tetelbaum. JVSTA, 44, 023202 (2026). https://doi.org/10.1116/6.0004996
  13. P. Yunin, D. Tatarskiy, A. Nikolskaya, D. Korolev, A. Konakov, A. Nazarov, K. Matyunina, M. Drozdov, D. Tetelbaum. JAC, 59, 483 (2026). https://doi.org/10.1107/s1600576726001019
  14. X. Liu, C. Sammarco, G. Zeng, D. Guo, W. Tang, C.K. Tan. APL, 117, 012104 (2020). https://doi.org/10.1063/5.0005808
  15. J. Zhu, Y. Pan, M. Wen, F. Yang. JAC, 1011, 178426 (2025). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.178426
  16. A. Nikolskaya, D. Korolev, P. Yunin, D. Tatarskiy, V. Trushin, K. Matyunina, M. Savushkina, A. Mikhaylov, M. Drozdov, A. Nazarov, A. Kudrin, A. Revin, A. Konakov, A. Stepanov, D. Tetelbaum. Vacuum, 235, 1141129 (2025). https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2025.114129
  17. https://www.quantum-espresso.org/
  18. A. Kyrtsos, M. Matsubara, E. Bellotti. PRB, 95, 245202 (2017). https://doi.org/10.1016/10.1103/PhysRevB.95.245202
  19. J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. PRL, 77 (18), 3865 (1996). https://doi.org/10.1016/10.1103/PhysRevLett.77.3865
  20. J. Yang, Y. Jing, Z. Yang, J. Zhaoa, W. Lib, J. Yan, J. Yang, X. Li. RSC Advances, 15, 38260 (2025). https://doi.org/10.1039/D5RA05380C
  21. Структурная химия. Факты и зависимости (М., Диалог-МГУ, 2000)
  22. S. Geller. JCP, 33 (3), 676 (1960). https://doi.org/10.1063/1.1731237

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme