Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Одно- и двухстадийный рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы

Власов А.С. ¹, Карлина Л.Б.¹, Левин Р.В.¹, Лысак В.В.¹, Учаев М.В.¹, Сошников И.П.^1,2,3

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Email: lev.vpegroup@mail.ioffe.ru, vlasov@scell.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 31 марта 2026 г.

В окончательной редакции: 28 мая 2026 г.

Принята к печати: 28 мая 2026 г.

Выставление онлайн: 30 июня 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены исследования одно- и двухстадийного роста GaInP-наноструктур на подложках кремния ориентации (111) из насыщенных паров фосфора и индия в квазизамкнутом объеме. Рост осуществлялся путем последовательного формирования первичного нуклеационного слоя, состоящего из наноструктур твердого раствора GaInP на подложке кремния с последующим дополнительным напылением (осаждением) галлия. Исследования колебательных свойств и спектров фотолюминесценции показали, что вторая стадия процесса с использованием дополнительного напыления металлического слоя катализатора и различных источников позволяет получать структуры с составом, отличным от состава нуклеационного слоя. Измерения карт фотолюминесценции показали, что использование двухстадийного роста дает существенное улучшение однородности состава наноструктур по сравнению с одностадийным подходом, а также демонстрирует взаимосвязь морфологии и состава первичного и вторичного слоев. Ключевые слова: наноструктуры GaInP, самокаталитический рост из паровой фазы, A^IIIB^V на Si.

E. Ahmad, Md.R. Karim, Sh.B. Hafiz, C.L. Reynolds, Y. Liu, Sh. Iyer. Sci. Rep., 7 (1), 10111 (2017). DOI: 10.1038/s41598-017-09280-4
D. Tamsaout, E. Cambril, L. Travers, A. Madouri, N. Gogneau. Nanotechnology, 36 (13), 135604 (2025). DOI: 10.1088/1361-6528/adb3ad
Y. Berdnikov, V.V. Fedorov, N.V. Sibirev, A.D. Bolshakov, S.V. Fedina, G.A. Sapunov, L.N. Dvoretckaia, I.S. Mukhin. 2022 Int. Conf. Laser Optics (ICLO) (2022) р. 1. DOI: 10.1109/ICLO54117.2022.9840319
R.R. Reznik, A.S. Andreeva, K.P. Kotlyar, A.I. Khrebtov, I.V. Ilkiv, V.O. Gridchin, I.P. Soshnikov, A.V. Syuy, A. Kuznetsov, A.D. Bolshakov, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii. Nanotechnology, 36 (23), 235601 (2025). DOI: 10.1088/1361-6528/add9aa
Л.Б. Карлина, А.С. Власов, Р.В. Левин, И.П. Сошников. ФТП, 59 (5), 265 (2025). DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2025.05.61470.7955
V.G. Dubrovskii, S. Boried, T. Dagnetd, L. Reynesd, Y. Andrec, E. Gilc. J. Cryst. Growth, 459, 194 (2017). DOI:10.22204/2410-4639-2024-123-124-03-04-26-37
S. Breuer, M. Hilse, L. Geelhaar, H. Riechert. J. Cryst. Growth, 323 (1), 311 (2011). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.071
H. Gao, Q. Sun, W. Sun, H.H. Tan, Ch. Jagadish, J. Zou. Nano Lett., 19, 8262 (2019). DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b03835

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель