Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2026, выпуск 2 » Статья стр. 98
<<<>>>
Формирование методами печати тонкопленочных транзисторов с полупроводниковым каналом на основе оксида индия-галлия-цинка
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, 075-15-2024-560
Иванов В.В. 1, Казаринова Д.Д. 1, Лизунова А.А. 1, Волков И.А. 1, Власов И.С. 1, Колисова Е.В.1, Цаплин И.А.1, Корнюшин Д.В. 1, Ворошилова В.А. 1, Лошкарев А.А.1
1Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
Email: ivanov.vv@mipt.ru, kazarinova.dd@mipt.ru, lizunova.aa@mipt.ru, volkov256@yandex.ru, kolisova.ev@phystech.edu, tsaplin.ia@phystech.edu, korniushin.d@mipt.ru, voroshilova.va@phystech.edu, alexloshkarev@ya.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2026 г.
В окончательной редакции: 29 мая 2026 г.
Принята к печати: 1 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 30 июня 2026 г.
PDF версия
Проведен анализ влияния способа формирования электродов, атмосферы и маршрута отжига, толщины подзатворного диэлектрика и стехиометрии оксидного полупроводника на значения отношения токов включения и выключения (Ion/Ioff) транзистора с полупроводниковым каналом из оксида индия-галлия-цинка (IGZO). Установлено, что архитектура транзистора с нижним затвором и верхней парой электродов сток-исток из серебра, сформированных методом сухой аэрозольной печати, позволяет повысить подвижность зарядов до 1.4 см2/(В · с). Предложен гибридный подход для изготовления функциональных слоев транзистора, суть которого заключается в формировании полупроводникового канала IGZO струйной печатью, а серебряных сток-истоковых контактов - сухой аэрозольной печатью. Разработанный подход обеспечивает получение транзисторов с Ion/Ioff до 1.4·104 и подвижностью зарядов до 0.08 см2/(В · с). Ключевые слова: IGZO, тонкопленочный транзистор, сухая аэрозольная печать, струйная печать, постобработка.
  1. C.H. Choi, L.Y. Lin, C.C. Cheng, C.H. Chang. ECS J. Solid State Sci. Technol., 4 (4), P3044 (2015). DOI: 10.1149/2.0071504jss
  2. A.S. Dahiya, D. Shakthivel, Y. Kumaresan, A. Zumeit, A. Christou, R. Dahiya. Nano Converg., 7 (1), 33 (2020). DOI: 10.1186/s40580-020-00243-6
  3. C. Hu, B. Li, X. Wang, C. Liu, D. Sun, H. Cheng. Light Sci. Appl., 14 (1), 355 (2025). DOI: 10.1038/s41377-025-01958-z
  4. F. Chen, M. Zhang, Y. Wan, X. Xu, M. Wong, H.S. Kwok. J. Semicond., 44 (9), 091602 (2023). DOI: 10.1088/1674-4926/44/9/091602
  5. Y.S. Kim, T. Hwang, H.J. Oh, J.S. Park, J.S. Park. Adv. Mater. Interfaces, 11 (15), 2301097 (2024). DOI: 10.1002/admi.202301097
  6. W.S. Liu, C.H. Hsu, Y. Jiang, Y.C. Lai, H.C. Kuo. Membranes, 12 (1), 49 (2021). DOI: 10.3390/membranes12010049
  7. J.S. Lee, S. Chang, S.M. Koo, S.Y. Lee. IEEE Electron Dev. Lett., 31 (3), 225 (2010). DOI: 10.1109/LED.2009.2038806
  8. J. Biggs, J. Myers, J. Kufel, E. Ozer, S. Craske, A. Sou, C. Ramsdale, K. Williamson, R. Price, S. White. Nature, 595 (7868), 532 (2021). DOI: 10.1038/s41586-021-03625-w
  9. Y. Liu, B. Sun, Y. Shu, X. Zeng, J. Zhu, J. Yi, J. He. J. Mater. Res. Technol., 9 (3), 5331 (2020). DOI: /10.1016/j.jmrt.2020.03.059
  10. D. Kim, J. Jang, S. Yoon, M. Hong. ECS Trans., 64 (10), 85 (2014). DOI: 10.1149/06410.0085ecst
  11. J. Kim, S. Lv, W. Wang, S. Zheng, C. Wang, Q. Xin, Y. Li, A. Song, J. Kim, J. Jin, J. Zhang. Front. Mater., 12, 1 (2025). DOI: 10.3389/fmats.2025.1735405
  12. M.S. Kim, H.T. Kim, H. Yoo, D.H. Choi, J.W. Park, T.S. Kim, J.H. Lim, H.J. Kim. ACS Appl. Mater. Interfaces, 13 (27), 31816 (2021). DOI: 10.1021/acsami.1c05565
  13. N. Mohammadian, B.C. Das, L.A. Majewski. IEEE Trans. Electron Dev., 67 (4), 1625 (2020). DOI: 10.1109/TED.2020.2976634
  14. Б.А. Казаркин, А.А. Степанов, Е.В. Муха, И.И. Захарченя, Е.А. Хохлов, А.Г. Смирнов. Докл. БГУИР, 7 (125), 101 (2019). DOI: 10.35596/1729-7648-2019-125-7-101-106
  15. X. Du, G.S. Herman. Sens. Actuators B: Chem., 268, 123 (2018). DOI: 10.1016/j.snb.2018.04.087
  16. Y. Wang, X.W. Sun, G.K.L. Goh, H.V. Demir, H.Y. Yu. IEEE Trans. Electron Dev., 58 (2), 480 (2011). DOI: 10.1109/TED.2010.2091131
  17. T. Hong, Y.S. Kim, S.H. Choi, J.H. Lim, J.S. Park. Adv. Electron. Mater., 9 (4), 2201208 (2023). DOI: 10.1002/aelm.202201208
  18. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono. Science, 300 (5623), 1269 (2003). DOI: 10.1126/science.1083212
  19. N. Fukuda, Y. Watanabe, S. Uemura, Y. Yoshida, T. Nakamura, H. Ushijima. J. Mater. Chem. C, 2 (13), 2448 (2014). DOI: 10.1039/c3tc31944j
  20. S. Sanctis, R.C. Hoffmann, N. Koslowski, S. Foro, M. Bruns, J.J. Schneider. Chem. Asian J., 13 (24), 3912 (2018). DOI: 10.1002/asia.201801371
  21. Y. Xie, D. Wang, H.H. Fong. J. Nanomaterials, 2018 (1), 7423469 (2018). DOI: 10.1155/2018/7423469
  22. G.M. Zirnik, A.S. Chernukha, D.A. Uchaev, I.A. Solizoda, S.A. Gudkova, N.S. Nekorysnova, D.A. Vinnik. Nanosyst.: Phys. Chem. Math., 15 (4), 520 (2024). DOI: 10.17586/2220-8054-2024-15-4-520-529
  23. D.E. Zhivulin, I.A. Solizoda, G.M. Zirnik, D.A. Uchaev, A.S. Chernukha, S.A. Gudkova, D.A. Vinnik. J. Struct. Chem., 66 (7), 1360 (2025). DOI: 10.1134/S0022476625070030
  24. А. Чернуха, Г. Зирник, К. Матвеев, Я. Болейко, Т. Маркин, Е. Ананников, А. Лошкарев, С. Гудкова, Д. Винник. Журн. структур. химии, 66 (3), 142135 (2025). DOI: 10.26902/JSC_id142135
  25. B.Y. Su, S.Y. Chu, Y.D. Juang, S.Y. Liu. J. Alloys Compd., 580, 10 (2013). DOI: 10.1016/j.jallcom.2013.05.077
  26. T.T. Yang, D.H. Kuo. Mater. Today Commun., 24, 101059 (2020). DOI: 10.1016/j.mtcomm.2020.101059
  27. T.T. Yang, D.H. Kuo, K.P. Tang. J. Non-Cryst. Sol., 553, 120503 (2021). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2020.120503
  28. J. Park, Z. Xiao, S. Lv, Z. Yan, J. Zhang, J. Jin, J. Kim. Semicond. Sci. Technol., 40 (11), 115013 (2025). DOI: 10.1088/1361-6641/ae1869
  29. S.K. Park, Y.H. Kim, J.I. Han. J. Phys. D: Appl. Phys., 42 (12), 125102 (2009). DOI: 10.1088/0022-3727/42/12/125102
  30. I.S. Lee, Y.J. Tak, B.H. Kang, H. Yoo, S. Jung, H.J. Kim. ACS Appl. Mater. Interfaces, 12 (16), 19123 (2020). DOI: 10.1021/acsami.9b22831
  31. C.J. Moon, J.W. Park, Y.R. Jang, H.S. Kim. Sci. Rep., 14 (1), 1566 (2024). DOI: 10.1038/s41598-024-52096-2
  32. G. Kim, S. Kim, M. Kim, C. Choi. Appl. Surf. Sci., 689, 162365 (2025). DOI: 10.1016/j.apsusc.2025.162365
  33. K. Liang, Y. Wang, S. Shao, M. Luo, V. Pecunia, L. Shao, J. Zhao, Z. Chen, L. Mo, Z. Cui. J. Mater. Chem. C, 7 (20), 6169 (2019). DOI: 10.1039/C8TC06596A
  34. V.V. Ivanov, V.I. Borisov, V.A. Dolgov, D.V. Kornyushin, M.S. Ivanov, V.A. Voroshilova, M.N. Urazov. Russ. J. Phys. Chem. A, 99 (12), 3114 (2025). DOI: 10.1134/S0036024425702553
  35. A. Lizunova, A. Sanatulina, A. Novoselov, E. Khramov, O. Vershinina, E. Kameneva, E. Kolisova, G. Zirnik, D. Malo, V. Ivanov. Nano-Struct. Nano-Objects, 44, 101591 (2025). DOI: 10.1016/j.nanoso.2025.101591
  36. V. Ivanov, A. Lizunova, O. Rodionova, A. Kostrov, D. Kornyushin, A. Aybush, A. Golodyayeva, A. Efimov, V. Nadtochenko. Nanomaterials, 12 (3), 448 (2022). DOI: 10.3390/nano12030448
  37. K. Khabarov, D. Kornyushin, B. Masnaviev, D. Tuzhilin, D. Saprykin, A. Efimov, V. Ivanov. Appl. Sci., 10 (1), 246 (2019). DOI: 10.3390/app10010246
  38. A.A. Efimov, D.V. Kornyushin, A.I. Buchnev, E.I. Kameneva, A.A. Lizunova, P.V. Arsenov, A.E. Varfolomeev, N.B. Pavzderin, A.V. Nikonov, V.V. Ivanov. Appl. Sci., 11 (13), 5791 (2021). DOI: 10.3390/app11135791
  39. S. Zheng, C. Wang, S. Lv, L. Dong, Z. Li, Q. Xin, A. Song, J. Zhang, Y. Li. Nanomaterials, 15 (6), 460 (2025). DOI: 10.3390/nano15060460
  40. S. Hwang, J.H. Lee, C.H. Woo, J.Y. Lee, H.K. Cho. Thin Sol. Films, 519 (15), 5146 (2011). DOI: 10.1016/j.tsf.2011.01.074
  41. S. Kil, J. Jeong. AIP Adv., 13 (11) (2023). DOI: 10.1063/5.0174995
  42. J.R. Pradhan, M. Singh, S. Dasgupta. Adv. Electron. Mater., 8 (11), 2200528 (2022). DOI: 10.1002/aelm.202200528

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme