"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках типа AIVBVI Обзор
Кайданов В.И.1, Немов С.А.1, Равич Ю.И.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Дан обзор современного состояния проблемы самокомпенсации в узкощелевых полупроводниках AIVBVI. Изложена последовательная теория явления самокомпенсации для случаев компенсации одиночными вакансиями, заряженными парными комплексами и нейтральными комплексами. Проанализированы результаты экспериментального исследования самокомпенсации при введении различных донорных и акцепторных примесей в PbS, PbSe и PbTe, в узкощелевые твердые растворы Pb0.8Sn0.2Te и Pb0.93Sn0.07Se, а также в пленки халькогенидов свинца.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.