"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика затухания и возрастания фотолюминесценции пористого кремния под действием непрерывного лазерного излучения
Журавлев К.С.1, Степина Н.П.1, Шамирзаев Т.С.1, Бучин Э.Ю.1, Мокроусов Н.Е.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт микроэлектроники Российской академии наук,, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 22 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Проведено исследование изменения во времени интенсивности фотолюминесценции пористого кремния при стационарном возбуждении. Впервые обнаружено, что под действием непрерывного видимого лазерного излучения наряду с деградацией ФЛ может происходить и ее возгорание. Процессы гашения и восстановления фотолюминесценции описываются тремя характерными временами, которые связываются с фотостимулированным обратимым изменением концентрации центров безызлучательной рекомбинации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.