"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Состояние примеси никеля в теллуриде кадмия
Слынько В.В.1, Бабий П.И.1, Гамерник Р.В.1, Гнатенко Ю.П.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 19 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Исследованы спектры примесного поглощения и фотогальванического тока кристаллов CdTe, легированных никелем в концентрации 1018/5· 1019 см-3. Установлено, что никель находится в двух зарядовых состояниях - Ni2+ (3d8) и Ni+ (3d9). Энергии донорных и акцепторных состояний, полученные по спектрам фотогальванического тока и эффекту Холла, находятся в приемлемом согласии. Однако обнаруженные глубокие уровни нельзя приписать чисто примесным состояниям. Учитывая отсутствие парамагнитной составляющей восприимчивости в кристаллах CdTe : Ni, а также сильную компенсацию свободных носителей (n~= p~= 107/108 см-3 при T=300 K), сделан вывод об образовании нейтральных комплексов, глубина залегания которых и определена в настоящей работе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.