"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нейтрализация бора в кремнии высокотемпературным облучением ионами аргона
Качурин Г.А.1, Ободников В.И.1, Принц В.Я.1, Тысченко И.Е.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 2 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Сформированные на n-Si слои p-типа проводимости толщиной около 0.7 мкм с концентрацией бора до 1019 см-3 облучались ионами Ar+ с энергией 135 кэВ дозами 1015/1017 см-2 при температуре 900oC. Для исследований использованы масс-спектрометрия вторичных ионов, емкостные измерения (для определения профиля распределения заряженных центров) и послойные холловские измерения. Наряду с возникновением радиационно-ускоренного диффузионного перераспределения бора обнаружено растущее с дозой стягивание его к поверхности, сопровождающееся электрической нейтрализацией акцепторов. При увеличении концентрации бора в приповерхностной области до 5·1019 см-3 концентрация дырок на глубинах до 0.2 мкм не превышала 3·1015 см-3. Эффект нейтрализации бора сохранялся при отжигах до 1100oC, причем термическая его устойчивость росла с дозой ионов. Наблюдавшиеся явления объяснены формированием под действием облучения структурных нарушений, преимущественно несовершенных дислокационных петель, и стоком на них атомов бора благодаря радиационному ускорению диффузии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.