"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотодиоды с барьером Шоттки на основе GaP, GaPxAs1-x и GaAs для УФ и видимого диапазонов спектра
Стафеев В.И.1, Анисимова И.Д.1
1Научно-производственное объединение "Орион",, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

В настоящее время усилился интерес к полупроводниковым фотоприемникам с чувствительностью в ультрафиолетовом диапазоне спектра. Это вызвано расширением сферы их применения в различных областях науки и техники: медицине, экологии, промышленном приборостроении (полиграфии, микроэлектронике, противопожарной системе и др.), научном приборостроении (спектрофотометрии, калориметрии, астрофизических исследованиях, хроматографии, биотехнологии, растениеводстве и др.); большие перспективы имеются в аппаратуре оборонного назначения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.