"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
Аникин М.М.1, Кузнецов Н.И.1, Лебедев А.А.1, Савкина Н.С.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Исследовались фотодиоды на основе 6H-SiC с неоднородно легированной n-базой. Обнаружены один глубокий центр захвата электронов и семь глубоких центров захвата дырок. Показано, что профиль концентрации нескомпенсированной примеси в n-базе фотодиода определяется наличием глубоких центров: HK2 (Ev+0.276 эВ, sigmap=1.3· 10-15 см2) и HK3 (Ev+0.306 эВ, sigmap=8.5·10-17 см2), которые, по-видимому, являются структурными дефектами. Возможно, что наблюдаемый центр HK1 (Ev+0.223 эВ, sigmap=3.6·10-12 см2) связан с примесью Al.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.