"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности собирания неравновесных носителей заряда, генерированных электронным потоком в структурах на основе a-Si : H и a-Si : C : H
Голубев В.Г.1, Морозова Л.Е.1, Певцов А.Б.1, Феоктистов Н.А.1, Флоринский В.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Представлены результаты исследования преобразования потока электронов с энергиями 3/35 кэВ в электрический ток p-i-n-структурами на основе аморфного гидрированного кремния и карбида кремния. Выполнен численный расчет энергетической зависимости тока короткого замыкания преобразователя от энергии падающих электронов и его сравнение с экспериментом. Приведены спектральные и нагрузочные характеристики исследованных p-i-n-структур в зависимости от содержания метана в газовой смеси, используемой при получении пленок аморфного карбида кремния. Из сопоставления расчетных и экспериментальных результатов определена величина энергии образования электронно-дырочной пары, равная 7/8 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.