"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Амфотерное поведение меди в фосфиде индия
Прибылов Н.Н.1, Рембеза С.И.1, Сустретов А.А.1
1Воронежский политехнический институт, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 26 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Приведены результаты исследования поведения примеси меди в n- и p-InP. На основе холловских измерений, исследования спектров оптического поглощения и результатов изотермических отжигов делается вывод об амфотерном характере электрической активности меди. Обнаружен донорный уровень с энергией Ev+0.1 эВ, связываемый с межузельной медью. Делается предположение о природе этого уровня.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.