"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические и электрические свойства пористого кремния
Астрова Е.В.1, Лебедев А.А.1, Ременюк А.Д.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Исследованы фотолюминесценция, фотопроводимость, оптическое поглощение и температурная зависимость сопротивления пористого кремния, отделенного от подложки исходного монокристаллического кремния. Спектры фотолюминесценции при 77 K выявили существенное различие между дальней и ближней от поверхности подложки сторонами пористого кремния. Край оптического поглощения хорошо соответствует длинноволновой части спектров фотолюминесценции и фотопроводимости. Температурная зависимость сопротивления пористого кремния имеет активационный характер с энергией активации (0.33±0.05) эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.