"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Классификация крупномасштабных примесных скоплений в кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном бором
Астафьев О.В.1, Бузыкин А.Н.1, Бувальцев А.И.1, Мурин Д.И.1, Калинушкин В.П.1, Плоппа М.Г.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Методами малоуглового рассеяния света (МУРС) и EBIG (в режиме наведенного тока) исследованы монокристаллы кремния, выращенные методом Чохральского. Обнаруженные крупномасштабные электрически активные примесные скопления в этом материале имеют отличные от хорошо известных примесных облаков в БЗП-кремнии природу и механизм образования. Проведена классификация скоплений в кремнии, выращенном методом Чохральского, проанализированы точечные центры, их образующие. Предлагается модель образования скоплений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.