"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Процессы генерации, рекомбинации и ионизации в кристаллах кремния и германия: кинетика неравновесных носителей
Шахвердиев Э.М.1, Садыхов Э.А.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 5 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Исследуется кинетика лазерного возбуждения неравновесных носителей с учетом процессов рекомбинации неравновесных носителей, линейной рекомбинации, образования и ионизации экситонов. Методом асимптотического разложения по малому параметру решений сингулярно возмущенных систем впервые получены асимптотические оценочные формулы для концентрации неравновесных носителей, справедливые во всей области изменения длительности и интенсивности лазерного импульса. Методом качественного анализа динамических систем определен тип особой точки системы; выяснены пределы изменения интенсивности лазерного импульса, кинетических коэффициентов, когда возможен тот или иной тип (осцилляционный, неколебательный) решения. Указано на возможность использования асимптотических оценок путем сравнения с результатами экспериментальных исследований, для косвенной и грубой оценки вероятностей (сечений) рекомбинационных, ионизационных процессов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.