"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поведение примесей в твердых растворах p-GaInSbAs
Воронина Т.И.1, Джуртанов Б.Е.1, Лагунова Т.С.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Исследовались температурные зависимости коэффициента Холла, электропроводности и подвижности в твердых растворах Ga1-xInxSb1-yAsy (x~= 0.1), легированных примесями Ge, Cd, Zn и Te. Показано, что среди акцепторных примесей только Ge позволяет получить материал p-типа с высокой концентрацией дырок (p>~=1019 см-3). Примеси Gd и Zn можно использовать только при низком уровне легирования (меньше чем 5·10-5 мол%), так как при дальнейшем легировании они плохо растворяются. При легировании Te происходит перекомпенсация (при 5·10-5 мол% Te в расплаве), имеется возможность получения материала n-типа в широком интервале концентраций (n=<sssim1018 см-3) с малой степенью компенсации (K<0.1).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.