"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Акцептор скандий в 6H-SiC
Балландович В.С.1
1Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина)
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Емкостными методами с использованием поверхностно-барьерных структур исследовались глубокие центры в эпитаксиальных слоях n-6H-SiC, компенсированных Sc. Методом DLTS обнаружены глубокие уровни (ГУ) Ev+0.26 эВ, обусловленные фоновой примесью, и акцепторные уровни, связанные со Sc. Отмечается сильная зависимость скорости термоэмиссии дырок с ГУ Sc от напряженности электрического поля в слое объемного заряда. Энергия ионизации Sc, определенная по спектрам DLTS, с учетом поправки на эффект Пула-Френкеля составляет ~0.52 эВ. В интервале энергий 0.5-2.0 и 2.5-3.0 эВ измерены соответственно спектры фотоионизации и фотонейтрализации ГУ Sc. Энергия ионизации Sc, согласно фотоемкостным измерениям, составляет ~0.55 эВ. Из кинетики изменения; емкости вследствие перезарядки ГУ Sc при T<160 K оценены сечения захвата дырок sigmap~10-13 и электронов sigman<10-20 см2. Полученные результаты находятся в удовлетворительном согласии с результатами люминесцентных исследований.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.