"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs : Mn
Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Михайлова М.П.1, Сиповская М.А.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Исследованы электрические свойства (электропроводность, коэффициент Холла и подвижность) и фотоэлектрические свойства как нелегированных, так и легированных марганцем узкозонных твердых растворов Ga1-xInxSb1-yAsy (0.76<x<1). Обнаружен уровень ED=Ec-(0.09-0.1) эВ, который отождествляется со структурным дефектом. Легирование марганцем приводит к возникновению мелкого водородоподобного акцепторного центра с энергией активации EA~0.025 эВ и позволяет перекомпенсировать исходный материал и получить слои p-типа с концентрацией дырок p=1016-1019 см-3. Определен коэффициент сегрегации марганца kMn=0.06-0.08. В твердых растворах, изопериодных к GaSb и InAs, экспериментально определены значения ширины запрещенной зоны. Установлено, что Eg практически не зависит от состава твердого раствора в интервале значений 0.76<x<1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.