"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Быстрое переключение пропускания света в стеклах, активированных микрокристаллами CdS
Балтрамеюнас Р., Гульбинас В., Екимов А.И., Кудрявцев И.А., Пакальнис С., Тамулайтис Г., Чепик Д.И.
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

С временным разрешением 5 пс исследованы временная кинетика пропускания и зависимость оптической плотности от уровня возбуждения для образцов стекол, легированных микрокристаллами сульфида кадмия, при комнатной температуре. Наряду с просветлением, связанным с заполнением уровней размерного квантования в микрокристалле CdS, наблюдалось наведенное поглощение при энергии кванта зондирующего света, значительно превышающей ширину запрещенной зоны, которое релаксирует с характерным временем 200 пс. При высоких уровнях возбуждения обнаружено быстрое (5 пс) переключение из состояния просветления к наведенному поглощению. Природа наблюдаемых эффектов объясняется с учетом межчастичного взаимодействия, а также с учетом процессов разогрева и охлаждения фотовозбужденной электронно-дырочной плазмы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.