"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения
Козловский В.В.1, Кольченко Т.И.1, Ломако В.М.1, Мороз С.Е.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при БГУ им. В.И. Ленина, Минск
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Методом емкостной спектроскопии исследовано влияние температуры облучения в интервале 25-250oC на эффективность образования электронных ловушек в InP с n0~1015 см-3. Показано, что при повышении температуры облучения скорость введения большинства глубоких уровней, а также скорость удаления носителей заряда уменьшаются, что объясняется отжигом дефектов, протекающим одновременно с облучением. Вместе с тем при Tобл<=200oC наблюдались быстрый рост эффективности образования донорного центра E5 (Ea=0.60 эВ), обусловленный изменением зарядового состояния одного из первичных дефектов решетки InP, а также образование нового центра ET1 (Ea=0.16 эВ).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.