"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние гофрировки энергетического спектра на размерное квантование в полупроводниках с вырожденной валентной зоной
Герчиков Л.Г.1, Субашиев А.В.1
1Ленинградский государственный технический университет
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Аналитически исследовано влияние гофрировки валентной зоны на спектр подзон размерного квантования пленок бесщелевых полупроводников и полупроводников с вырожденной валентной зоной. Показано, что экстремумы подзон размерного квантования тяжелых дырок могут быть смещены из точки k=0. Кроме того, при больших значениях импульса происходят осцилляции расстояний между ближайшими подзонами тяжелых дырок разной четности, а их средняя масса определяется положением экстремумов объемного спектра тяжелых дырок при фиксированном значении импульса движения вдоль пленки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.