"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Численное моделирование диффузии бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
Александров Л.Н.1, Бондарева Т.В.1, Качурин Г.А.1, Тысченко И.Е.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Проведено моделирование на ЭВМ ускоренной диффузии примесей, имплантируемых в кремний при высокой температуре. Диффузионные уравнения решались методом конечных разностей (считалось, что ускорение диффузии обусловлено избыточными точечными дефектами и пропорционально изменению их концентрации с глубиной). Расчетные профили сопоставлены с экспериментальными, полученными в результате имплантации при 900oC ионов бора и фосфора набором доз в интервале 3·1013/1016 см-2. Показано, что после внедрения ионов фосфора профили легирования хорошо согласуются с расчетами при значении диффузионной длины точечных дефектов Ld=0.5 мкм. При внедрении бора для достижения соответствия во всем интервале доз величину Ld необходимо уменьшать по мере приближения к области торможения ионов. Это объясняется тем, что проникающие вглубь атомы бора становятся стоками для точечных дефектов, сокращая диффузионную длину последних.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.