"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности емкостной спектроскопии глубоких центров в диодах Шоттки
Андриевский В.Ф.1, Иванюкович В.А.1, Карась В.И.1, Ломако В.М.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при БГУ им. В.И. Ленина, Минск
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

На примере технологического и радиационного дефектов EL2 и E5 в арсениде галлия показано, что при использовании метода нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней высота барьера Шоттки varphiB существенно влияет на определение величины энергии активации термоэмиссии электронов и концентрации глубоких центров. Показано, что истинные значения концентрации дефектов и положение их энергетического уровня Et могут быть получены лишь при условии, что varphiB>Et.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.