"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при прямом сращивании кремниевых пластин
Воронков В.Б.1, Грехов И.В.1, Козлов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

С помощью лазерного сканирующего микроскопа проведено исследование интерфейса полупроводниковых структур, сформированных методом прямого сращивания зеркально полированных кремниевых пластин. Показано, что измерение величины оптического пропускания структур при зондировании светом с lambda=1.15 мкм обеспечивает неразрушающий контроль однородности сращивания и выявление дефектных областей интерфейса. Наличие потенциального барьера на интерфейсе структур может быть выявлено путем регистрации наведенной фотоэдс в режиме сканирования границы сращивания светом с lambda=0.63 мкм. Использование лазерного сканирующего микроскопа для контроля качества структур и корректировки технологического процесса прямого сращивания кремния (ПСК) позволило изготовить методом ПСК высоковольтные p+-n-n+-структуры, характеристики которых не отличались от характеристик контрольных структур, изготовленных традиционными технологическими методами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.