Синтезированы высокоомные монокристаллнческпе образцы Pb_1-xMn_xTe(Ga) (x=<sssim0.05). Исследование температурных зависимостей удельного сопротивления у показало, что нетолько ширина запрещенной зоны varepsilon_g, но и энергия активации примесной проводимости varepsilon_A в Pb_1-xMn_xTe(Ga) возрастают с ростом x и в кристаллах с C_Mn~=2.5 ат% достигают varepsilon_A=250 и varepsilon_g~=370 мэВ. При этом максимум в спектрах фотопроводимости (ФП сдвигается в область более коротких волн. Задержанная ФП наблюдается в области температур T=<sssim70 K. С ростом содержания Mn в кристаллах процессы релаксации к равновесному состоянию после выключения непрерывной подсветки при низких температурах ускоряются.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.