"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение механизмов прохождения тока в контакте Au-InAs p-типа при имплантации протонов
Кольцов Г.И.1, Крутенюк Ю.В.1
1Московский институт стали и сплавов
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Исследовано влияние дозы имплантированных протонов на вольт-амперные характеристики контакта Au-InAs p-типа. Обнаружен немонотонный характер этого влияния, связанный с тем, что первоначальное накопление электрически активных дефектов приводит к подавлению туннельных компонент тока и снижению эффективности лавинного умножения при обратных смещениях, что в свою очередь ведет к улучшению выпрямляющих свойств контакта. Дальнейшее увеличение концентрации состояний в запрещенной зоне с повышением дозы имплантации приводит к возникновению проводимости по этим состояниям и преобразованию контакта в омический.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.