"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности отрицательного магнитосопротивления при проводимости по верхней зоне Хаббарда в p-Si<B>
Исмагилова Ф.М.1, Литвак-Горская Л.Б.1, Луговая Г.Я.1, Трофимов И.Е.1
1Московский государственный педагогический институт им. В.И. Ленина
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Исследовано магнитосопротивление слабо компенсированного p-Si<B> с Na~=6·1016/2·1018 см-3 при H=0/36 кЭ и T=4.2/40 K в стационарных условиях (T=20/40 K) и при лазерном и фоновом фотовозбуждении дырок (T=4.2 K) в верхнюю зону Хаббарда (ВЗХ). Показано, что появление отрицательного магнитосопротивления (ОМС) связано только с проводимостью по ВЗХ, причем ОМС объясняется в рамках теории квантовых поправок к проводимости за счет слабой локализации дырок. Найденное время сбоя фазы волновой функции tauvarphi близко к tauph - времени релаксации импульса дырки при рассеянии на акустических фононах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.