"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высокотемпературный диод Шоттки Au-SiC-6H
Аникин М.М.1, Андреев А.Н.1, Лебедев А.А.1, Пятко С.Н.1, Растегаева М.Г.1, Савкина Н.С.1, Стрельчук А.М.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Получены поверхностно-барьерные структуры Au-SiC-6H, по своим электрическим характеристикам близкие к идеальным, работоспособные до температур 300oC. Исследованы их электрические характеристики и механизм протекания тока. Показано, что протекание прямого тока описывается теорией термоэлектронной эмиссии. Прямой ток I~1 А при Uпр~4 В. Напряжение пробоя структур 100-170 В при комнатной темперaтуре. Обратные токи при T=570 K и U=70 В ~10-8 А.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.