"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением в изотипной гетероструктуре p-InAs/P-InAsPSb
Бреслер М.С.1, Гусев О.Б.1, Михайлова М.П.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1, Яссиевич И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Исследована люминесценция гетероструктуры p-InAs/P-InAs0.63P0.25Sb0.12. В спектрах люминесценции обнаружена новая линия, лежащая между объемными линиями узкозонного и широкозонного материалов. Характерной особенностью этой линии является смещение ее в коротковолновую область при увеличении уровня возбуждения. В результате подробного теоретического анализа и сопоставления теории с экспериментом данная линия интерпретирована как результат рекомбинации дырок, находящихся на акцепторах обогащенного слоя, и фотоэлектронов, локализованных в области обеднения вследствие надбарьерного отражения от гетерограницы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.