"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga-Bi
Брунков П.Н.1, Гайбуллаев С.1, Конников С.Г.1, Никитин В.Г.1, Папенцев М.И.1, Соболев М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.