Исследованы рамановское рассеяние в различных геометриях кристаллов TlGaS₂ и их температурные зависимости в области 77-400 K. Обнаружен фазовый переход, который приводит к изменениям поляризационных зависимостей колебательных мод, к расщеплению линий, ослаблению одних и возгоранию других колебательных мод с понижением температуры. Исследованы колебательные спектры отражения в области 4000-50 см^-1 и выделены полярные колебательные LO- и TO-моды и их основные параметры. Рассчитаны эффективный заряд Сигетти, динамический борновский заряд и относительный эффективный заряд анионов и катионов в поляризациях E|| a и E|| b кристаллов TlGaS₂. Показано различие в степени ионности катионов и анионов по направлениям осей a и b.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.