"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb
Айдаралиев М.Ш., Зегря Г.Г., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Выставление онлайн: 20 января 1992 г.

Приведены теоретические и экспериментальные исследования пороговых токов InAsSbP/InAs и InAsSbP/ InAsSb лазеров на основе ДГС (двойных гетероструктур) в интервале температур 4.2-150 K. В расчетах использованы точные значения интегралов перекрытия, входящих в выражение для скорости оже-рекомбинации с участием спин-орбитально отщепленной зоны (CHHS-процесс), и непараболичность спектра носителей при больших значениях волнового вектора. Показано, что в интервале 4.2-80 K имеет место межзонная излучательная рекомбинация, в то время как при более высоких температурах преобладает CHHS-процесс, определяющий квантовую эффективность и температурный предел работы лазеров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.