"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование глубоких центров в GaAs при лазерном облучении
Дмитриев А.Г., Дорин В.А., Карфул Р., Погарский М.А., Шульга М.И.
Выставление онлайн: 20 января 1992 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.