"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О природе точечных дефектов генерируемых при диффузии акцепторных примесей в карбиде кремния
Константинов А.О.
Выставление онлайн: 20 января 1992 г.

Проведен анализ типа точечных дефектов, присутствующих в карбиде кремния при температурах выращивания и взаимодействующих с основными акцепторными примесями --- бором и алюминием. Для идентификации типа дефектов смоделирован, процесс инжекции неравновесных точечных дефектов при диффузии примесей. Показано, что имеющиеся экспериментальные результаты согласуются с межузельной моделью диффузии и не согласуются с вакансионной. Взаимодействующие с бором и алюминием точечные дефекты являются дефектами кремниевой подрешетки, имеющими межузельную природу. Это либо межузельный кремний, либо антиструктурные дефекты типа кремний в углеродных узлах. Сделаны оценки коэффициента самодиффузии кремния в SiC. Оказывается, что значения коэффициентов самодиффузии кремния, согласующиеся с данными по диффузии примесей, на 3 порядка ниже, чем результаты изотопных экспериментов по исследованию самодиффузии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.